第三代半导体的广泛应用，为碳达峰、碳中和提供了技术支撑。

　　第三代半导体亦称宽禁带半导体，以碳化硅和氮化镓为代表，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等方面的优越性能，是支撑新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网等产业自主创新发展、转型升级的重点核心材料和电子元器件。

　　专家指出，碳化硅又称金刚砂、碳硅石，在包含C、N、B等化学元素的非氧化物高技术耐火原料中，是应用最广泛、最经济的一种。采用碳化硅材料制成半导体器件，不仅增强了可靠性和适用性，提高了电能转换效率，降低了损耗，而且降低了成本造价。氮化镓具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料，用它制成的半导体还往往要远优于现有的一切半导体材料。

　　目前，小米、传音等公司已将第三代半导体材料应用于快充领域。我国大力发展和广泛应用第三代半导体技术，对推动碳达峰碳中和目标的实现具有重大意义。

　　刘代荣